株テーマ:GaN(窒化ガリウム)半導体の関連銘柄

GaN(窒化ガリウム)半導体関連株

GaN(窒化ガリウム)半導体は、サーバ電源から自動車・電装分野へと拡大し、2019年の19億円から、2030年は232億円に拡大すると見られている。経産省はパワー半導体の消費電力を2030年までに半減させるため、GaN(窒化ガリウム)など新素材の研究開発に補助金を出す。シリコン半導体より電力ロスを十分の一に低減し、ハイブリッドカーに適用した場合、走行距離を1割延ばす可能性がある。最近の研究ではEVのモーター制御に応用した場合、最大67%の電力消費削減に成功した例もある。GaN(窒化ガリウム)半導体=電力制御半導体と見れば理解しやすい。2050年までの二酸化炭素排出ゼロに向けて、電力消費を抑制するキラーコンテンツの可能性がある。

窒化ガリウム半導体はEVで直流電気を交流電気に変えるインバーターに応用した場合、エネルギーが大幅に減ることが期待されているが、200ミリウエハーで価格が100万円するため、普及には100分の1以下へのコストダウンが必要とされている。


シリコン半導体をハイブリッド向けに供給する富士電機HDはGaN(窒化ガリウム)の量産化技術を持つ古河電気工業と組み、新型半導体の開発を目指す。住友電気工業は5G基地局用アンテナ部品にシリコンではなく窒化ガリウムを採用しており、5G基地局向けに需要が急増している。Mipoxは次世代パワー素子向け化合物など微細表面加工の液体研磨剤大手。新電元工業は、大容量で高速安定動作を可能にするGaNパワーモジュールを開発。GaN基板では、住友電気工業、三菱化学、サイオクス(住友化学子会社)の寡占状態。

ロームは、パワーデバイスの世界的リーダー「Ganシステムズ社」と2018年6月に協業を開始。両社のパッケージング技術を用いてGanデバイスに最適な製品を共同開発し、共同生産も視野に入れている。

信越化学は半導体基板に使うシリコンウエハーの世界最大手で、米国の素材メーカのクロミス開発した素材を使用し、GaN(窒化ガリウム)を使う製法で、従来の4倍の面積にウエハーを大型化できるという。GaN基板は次世代半導体材料として期待が高く、5Gで使う高周波の電波にも対応出来るため、基地局や電子部品への採用を目指す。サンプル出荷は2020年中としている。

住友電工は5Gを進化させた携帯電話通信網「5G+」向けに、GaN(窒化ガリウム)デバイスの次世代品を10月にも投入する。既に5G向けでは世界シェア7割を占めているが、GaNデバイスはSi(シリコン)デバイスよりも高い周波数帯域で使われるため、通信網の高度化でさらに需要が増加する見込み。

三菱電機は、2020年7月に5G基地局用GaN増幅器モジュールの小型・効率化技術を開発したと発表した。5G基地局の小型化と低消費電力化に貢献する。今後は出力電力や周波数などの仕様が異なる5G基地局用GaN増幅器モジュールへの技術適用に向けて研究を進める。


日本製鋼所は、三菱ケミカルと共同て窒化ガリウム(GaN)単結晶基板の量産に向けた実証設備を日本製鋼所室蘭製作所に建設し、実証実験を開始する。GaN基板の大きさは2インチ止まりで、用途も限定的だったが、両社は気相成長法に変わる液相法による大口径化を図り、4、6インチの基板量産設備を完成させた。2020年度に市場投入する計画。日本製鋼所は、人工水晶製造用の圧力容器で国内シェア100%であり、大口径・高品質・低コストGaN基板の製造技術の開発を進めてきた。


住友化学は、窒化ガリウム(GaN)エピタキシャルウエハー向けの単結晶基板で5年以内に100億円の売り上げを目指す。4インチサイズの販売を現状の3倍強に伸ばす他、6インチサイズの単結晶基板も開発した。住友化学は、2015年に日立金属の窒化ガリウム基板・エピウエハ事業を買収しており、開発を加速していた。5Gでは、信号を効率よく増幅できる特徴を持つ窒化ガリウムエピウエハーが基地局向けなどに需要増加が見込まれる。


オキサイドは、2021年6月30日から、GaN薄膜単結晶の成長に適した新材料単結晶基板「SAM」のサンプル出荷を開始する。GaNの製造で一般的に使用されるサファイアより格子定数・熱膨張率のミスマッチが小さく、従来よりも高性能なGaNの実現が期待できるとしている。サンプル出荷を新たな受注開発への糸口とし、事業拡大を狙う。

GaN(窒化ガリウム)半導体 関連銘柄

GaN(窒化ガリウム)半導体 関連テーマ

パワー半導体
Ga2O3(酸化ガリウム)半導体 SiC(炭化ケイ素)半導体 GaN(窒化ガリウム)半導体

株式情報更新 (6月18日)


会員ログイン

パスワードを忘れてしまった場合

申込みがまだの方