株テーマ：ラビダスの関連銘柄
ラピダス関連のキーワードは、「オール枚葉式半導体洗浄」と「短TAT半導体製造」
短TAT半導体製造とは、製品を完全に仕上げるまでに要する時間（TAT：turn-around-time）を短縮する半導体製造技術。
・ラピダス行程表
24年12月＝ＥＵＶ露光装置搬入
25年04月＝パイロットライン稼働
・ラピダス新着情報
ジェイ・イー・ティは、ラピダスから受託した業務の基礎研究開発業務を完了し、新たな研究開発業務の 2024 年度の計画と予算の承認を受けたと、発表した。試作装置製作に関する研究開発業務としており、詳細は公表されないが、枚葉式洗浄装置関連と見られる。建設中の最先端ロジック半導体を製造する施設・ＩＩＭ（イーム）半導体製造ラインへの当社装置の納入を目指すとしている。
セイコーエプソンは、ラピダスの半導体後工程に関する一部の研究開発機能を千歳事業所に設置することで、ラピダスと協議を進めていることを、発表した。千歳事業所は、ラピダスが千歳市に建設中の半導体製造拠点IIMに隣接している。エプソンにとって、プロジェクターの基幹部品である小型液晶パネルを生産する重要な製造拠点であるが、ラピダスが取り組む「2nm（ナノ）世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」のテーマに関するパイロット段階の研究開発にあたり、千歳事業所の一部スペースの貸与や施用に向けた最終的な協議を行っている。契約は5月上旬までの締結を目指している。
ラピダス、国内初の2nm半導体量産へ：経済安全保障と産業競争力を強化
2027年、日本初の2nm半導体量産を目指す半導体製造会社ラピダスが、北海道千歳市に新工場を建設する。経済安全保障と産業競争力強化を目的とした国家プロジェクトであり、政府からの支援も受けながら、最先端の半導体製造技術の確立を目指す。ラピダスは、国内初の2nm半導体量産という大きな挑戦に挑んでいる。成功すれば、日本の経済安全保障と産業競争力強化に大きく貢献できるだけでなく、世界半導体市場にも大きな影響を与える可能性がある。
・出資企業
トヨタ自動車
デンソー
ソニーグループ
NTT
NEC
ソフトバンク
キオクシア
三菱UFJ銀行
・出資比率
各出資企業は10億円ずつ出資しており、出資比率は均等。
ラピダスは、2022年8月に、日本の主要企業8社の支援を受けて設立。2025年に試作ラインを稼働させ、2027年を目途に2nm以下の先端ロジック半導体の開発・量産を行うことを目指している。計画実現に向けては今後10年程度でおよそ5兆円規模の投資が必要と見込まれている。
最先端のロジック半導体を量産できる技術で、4nm～7nmのロジック半導体を生産できるのは、台湾ＴＳＭＣと韓国サムスン、インテル、ＩＢＭに限られている。台湾と韓国の企業という点で、地政学リスクが懸念される。
2nm最先端ファウンドリを日本で実現するため、ベルギー半導体国際研究機関ｉｍｅｃ（アイメック）と最先端半導体技術の長期的、持続可能な協力に向けた覚書を締結した。アイメックは最先端半導体製造で必要なＥＵＶ露光装置を保有しており、ＡＳＭＬが独占状態にあるＥＵＶ露光装置で共同研究開発する関係にある。
複数の異なるチップをワンパッケージとして1つにまとめる「ヘテロジニアスインテグレーション（異種集積）」について、ラピダスが日本国内の半導体メーカーを主導することを基本方針としている。
IBMとラピダスは、次世代半導体製造技術「GAA（Gate All Around）」の開発に向けた協業契約を締結している。GAA技術とは従来のFinFET技術よりもトランジスタの性能と電力効率を大幅に向上させる次世代半導体製造技術である。2nm以下の微細なプロセスで製造される半導体製造に不可欠な技術であり、今後数年間で半導体業界の主流になると予想される。2025年までにGAA技術を用いた2nm半導体製造の試作ラインを立ち上げ、2027年までに量産開始を目指す。
ラピダスは、米ＩＢＭの開発拠点の米Albany NanoTech Complex（アルバニー・ナノテク・コンプレックス）にエンジニアを派遣し、2nm最先端技術の習得に努めている。今後は派遣先をアイメックにも拡大し、ＥＵＶ（極端紫外線）露光装置のノウハウを学ぶ。アイメックは東京と北海道に日本拠点を設ける。
ラピダスは最先端ロジック半導体の大量生産を目指すのではなく、顧客の企業ニーズに応じて一定の量を生産する方針で、ＴＳＭＣがアップル向けの半導体を生産するようなことはしない。汎用のＧＰＵから専用のＡＩチップに変わる中規模需要を狙う。
半導体設計部分には入っていかないが、コストの削減や開発期間の短縮につながるような設計支援は手掛けてる意向で、（6228）ジェイ・イー・ティに研究委託した枚葉式洗浄装置が注目される。
ロジック半導体で、FinFETという構造があるが、2ナノの半導体は全く違う。ＩＢＭが開発したGAAというテクノロジーを使って製造されるため、日本が出遅れたFinFETをスキップできる。つまり、2nm最先端ファウンドリで現在のＴＳＭＣを凌駕することが期待される。
現在の政府補助金は試作ラインの完成を念頭に置いている。量産化を見据えれば、この先数兆円の追加支援を行う覚悟が必要だ。ラピダスはまさに国策、後には引けない。
ＳｏＣ（システムオンチップ）の設計を手掛けるソシオネクストはラピダスからの受注思惑が出ている。
日本酸素 ＨＤ傘下の産業ガス大手の大陽日酸は、ラピダスの次世代半導体工場の敷地内に、産業ガスの製造施設を建設する。2024年7月に着工し、ラピダスが25年に稼働させるパイロットプラント向けに供給する。設備工事大手のダイダンは、ラピダス次世代半導体工場の配管工事の設計・施工業者に選定された。
鹿島建設は、ラピダス建設する最先端半導体工場のうち、「Rapidus IIM（イーム）建設計画」の設計・施工者に選定された。カナモトは、北海道を地盤とした建機レンタル大手で、ラピダス半導体工場建設に伴う大型案件を受注している。
エア・ウォーターは、半導体製造装置メーカーであるラピダスから、北海道千歳市に建設される半導体工場「IIM」のパイロットライン向け特殊ガスや特殊ケミカルをはじめとした半導体材料の本州から北海道に至る輸送の取りまとめを委託された。
トッパンフォトマスクはＩＢＭと、次世代半導体向けの高NA EUV（極端紫外線）を含む、EUVリソグラフィを使用した2ナノメートルのロジック半導体プロセス対応のフォトマスクに関する共同研究開発契約を締結した。ラピダスに供給するとみられ、2026年の量産開始を目指す。ラピダスは27年から2ナノ品の量産を始めることを目指しており、ＩＢＭから設計技術の供与を受ける予定。
新工場の建設を進める一方で顧客の獲得は最大の課題とされているが、ラピダスは2024年2月にカナダのＡＩ半導体開発のテンストレントとエッジＡＩ半導体の開発・製造で協業すると発表した。ラピダスが、最先端半導体製造受託での顧客獲得を公表するのは今回が初めてとなる。テンストレントは、2ナノレベルのＡＩエッジデバイスの開発で必要とされるＣＰＵを設計し、アクセラレーターチップの開発を東京大学などで実施する。
ラピダスはこれらを３次元のチップレットにまとめ、テンストレントから生産を受託する。ラピダスの最先端半導体の設計や先端装置・素材技術の研究開発を担う技術研究組合最先端半導体技術センター（ＬＳＴＣ）に、政府が最大450億円を支援すると発表しており、その枠組みの中での協業となる。
テンストレントは、ＡＩに特化した最先端半導体の開発をターゲットとしており、ＣＰＵとＧＰＵ、さらにメモリーの機能が1つのチップに収まっているような理想のＡＩチップを開発しようとしている。テンストレント製品の製造は現在、台湾ＴＳＭＣC、韓国サムスンなど複数のファウンドリーに委託している。その中で、ラピダスを指名したのは、スピード重視の姿勢で、ラピダスと一蓮托生で次世代の半導体開発を進めるという。
