6146 ディスコ
| 2024年4月19日 株価 | |||
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始値
52,130円
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高値
52,330円
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安値
49,270円
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終値
49,800円
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出来高
3,550,100株
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| オシレータ分析 | トレンド分析 | 予想レンジ | |
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予想高値
53,000円
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予想安値
46,000円
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オシレータ分析
オシレータ系指標は、相場の強弱動向を表した指標で、日々の市場の値動きから、株価の水準とは無関係に売り・買いを探ります。
売買シグナルは 内にまたはで表示されます。
| RSI | 9日 23.38 | RCI |
9日 -86.67 13日 -74.73 |
|---|---|---|---|
| ボリンジャーバンド |
+2σ 60015.28 -2σ 41225.87 |
ストキャススロー |
S%D 51.74 %D 26.77 |
| ストキャスファースト |
%K 0 %D 26.77 |
ボリュームレシオ | 14日 56.32 |
| 移動平均乖離率 | 25日 -8.5 | サイコロジカル | 12日 58.33 |
トレンド分析
トレンド系指標は、相場の方向性・強さを判断する指標で、中長期の分析・予測に使われます。トレンド転換時は内にまたはで表示されます。現在のトレンドはまたはで表示されます。
| DMI | MACD | ゴールデンクロス | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 5日移動平均（位置） | 5日移動平均（向き） | 25日移動平均（位置） | |||
| 25日移動平均（向き） | パラボリック |
チャート分析
酒田五法や一目均衡表などローソク足変化シグナル(当日示現のみ)は、内にまたはで表示されます。独自のHAL指数で高値圏、安値圏を判定し、実戦的なシグナルです。
| 十字足 | はらみ十字 | 上ひげ・下ひげ |
|---|---|---|
| 出会い線 | 三点童子 | 三点童子（安値・高値） |
| 包み足 | 赤三兵・黒三兵 | 並び赤・並び黒 |
| 明けの明星・宵の明星 | 三役好転・三役逆転 | 雲上抜け・下抜け |
| 転換線上抜け・下抜け | 遅行線上抜け・下抜け | 五陽連・五陰連 |
6146 ディスコの投資戦略
6146 ディスコの株価は、オシレーター系指標では中立圏で推移しています。トレンド系指標は下降トレンド継続中で、戻り売りゾーンです。オシレータ系指標は「買われ過ぎ」、「売られ過ぎ」を示すテクニカル指標の総称です。一定の範囲で動くため振り子系指標とも呼ばれます。RSIやストキャスティクスが代表的です。トレンドフォロー系指標は、株価が上がり続けると指標も上がり、下がり続けると指標も下がるタイプです。移動平均やMACDが代表的です。
6146 ディスコのテクニカル売買シグナル
株式売買シグナルが点灯しています。このページ下部のオシレーター分析、トレンド分析、チャート分析でご確認ください。オシレーター分析、チャート分析では変化点をキャッチした日に売り買いサインが点灯、トレンド分析では現在の方向を矢印で示します。
6146 ディスコの関連ニュース
モルガン・スタンレーでは、中期成長ドライバとして期待してたSiCウェーハ加工用のKABRA！ zenと、ウェーハ薄化グラインダに対する期待感が大きく高まったことなどを理由とした。KABRAは、レーザを連続的に照射することで、分離層（KABRA層）を任意の深さに形成し、このKABRA 層を起点に剥離・ウェーハ化するインゴットスライス加工で、多結晶のあらゆるSiC インゴットに適用できる。
メモリメーカー各社のHBMのさらなる生産計画拡大があり、生成AI関連事業の24年3月期及び25年3月期合計の事業規模は23年10月時点の500億円から大幅に上振れ、800億円以上と推定している。2025年下期からHBM4用の装置の売上拡大に期待し、27年3月期に従来予想の1000億円から2000億円を上回る売上を推定している。
SiCウェーハ加工装置KABRA！ zenも中国市場への拡販開始し、27年3月期のSiC関連事業の売上規模を1000億円に倍増するとしている。
ディスコは、半導体製造装置の主要部品である砥石のシェアで世界トップクラス。近年は、半導体製造装置の需要増加に対応するため、砥石の生産能力を拡大する取り組みを進めてきた。現在は広島県に2カ所、長野県に1カ所の工場を持つ。既存工場の生産設備を新工場棟に集約するようだ。
今回の新工場建設により、ディスコの砥石の生産能力は、35年までに現在の約14倍に高まる見通し。半導体メーカーの国内外での生産拡張をにらみ、供給体制を整える。過去10年で消耗品の売上高は約3倍に増えているが、消耗品は交換し続けるため、大規模な投資に踏み切る。ディスコは、半導体ウエハーを「切る、削る、磨く」という分野のグラインダー（研削装置）やダイサー（切断装置）で7～8割の市場シェアを持つと見られる。
浜松ホトニクスも、GaNをレーザー方式で切断する技術を開発している。ワイヤソーで削ってスライスすると、200―300マイクロメートルのGaNが失われるが、レーザー方式では3マイクロメートルが失われるに過ぎない。GaNは結晶化が難しく、表面が割れやすいため、加工に時間がかかっていた。レーザーを使うことで表面が割れにくくなった。
GaNを素材とする次世代パワー半導体の世界市場は35年に740億円と、22年の17倍に拡大する見通し。