株テーマ：光チップレットの関連銘柄
ポスト5G世代の光ディスアグリゲーテッドコンピューティングを実現するために、データセンタスケールの光インターコネクトに光で直結できる広帯域メモリモジュールに向けて、「メモリコントローラ」と「広帯域バッファメモリ」を開発し、大容量のメモリ、光電融合デバイス(光チップレット)と共に「フォトニックファブリックアタッチトメモリモジュール(PRAM)」として実装する。
光半導体関連株。現在の半導体は光信号を電気信号に転換して情報処理するが、光半導体では光信号のまま情報処理することで、消費電力の大幅な削減や低遅延の通信、送電容量の劇的な拡大の実現を目指す。光半導体には、可視光ＬＥＤ、赤外ＬＥＤ、紫外ＬＥＤ、レーザダイオードなど電気を光に変換する発光素子、光センサ、太陽電池、ＣＭＯＳセンサなど光を電気信号で出力する受光素子、発光素子と受光素子をパッケージとしたフォトカプラやファイバカプラがある。
NTTは、2019年10月にソニー、インテルと業界フォーラムである「IOWN(アイオン)」を設立すると発表した。先進的な光融合技術を活用した光半導体などの研究開発を進める。2024年に仕様を策定し、2030年の商用化を目指す。2020年4月には米マイクロソフトや富士通が参加した。
浜松ホトニクスは、光半導体製品の需要拡大に対応するため、本社工場に光半導体製造（前工程）を担う新棟を建設する。投資額は370億円で、従来の直径6インチのシリコンウエハーに加え、8インチの製造ラインを新たに採用することで、光半導体製品の生産能力を現在の2倍の約8,000枚／月に増強する。2023年7月着工、稼働予定は2025年12月。
半導体に光をつなぐ「光チップレット（光電融合デバイス）」を古河電気工業や新光電気工業と、共同開発する。
政府は、NTTなどが進める次世代の情報通信基盤「IOWN」の実用化に向けた新たな開発計画に、約452億円を支援する方針を固めた。開発には、NTTを中心に、古河電気工業、新光電気工業、キオクシア、NEC、富士通などが参加し、アメリカのインテルなど海外の大手半導体企業とも連携する。世界初の光半導体の実現に向け、官民による巨大プロジェクトが動き出す。
