8035 東京エレクトロン
| 2024年12月6日 株価 | |||
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始値
24,240円
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高値
24,390円
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安値
23,730円
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終値
23,950円
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出来高
4,056,100株
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| オシレータ分析 | トレンド分析 | 予想レンジ | |
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予想高値
26,000円
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予想安値
21,000円
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| みんなの予想 | |||
|---|---|---|---|
| 上がる 60% |
下がる 40% |
平均予想株価 23,000円 |
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この銘柄の株価は |
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オシレータ分析
オシレータ系指標は、相場の強弱動向を表した指標で、日々の市場の値動きから、株価の水準とは無関係に売り・買いを探ります。
売買シグナルは 内にまたはで表示されます。
| RSI | 9日 58.36 | RCI |
9日 78.33 13日 89.01 |
|---|---|---|---|
| ボリンジャーバンド |
+2σ 26568.23 -2σ 21135.43 |
ストキャススロー |
S%D 59.95 %D 85.65 |
| ストキャスファースト |
%K 70.81 %D 85.65 |
ボリュームレシオ | 14日 58.06 |
| 移動平均乖離率 | 25日 4.21 | サイコロジカル | 12日 50 |
トレンド分析
トレンド系指標は、相場の方向性・強さを判断する指標で、中長期の分析・予測に使われます。トレンド転換時は内にまたはで表示されます。現在のトレンドはまたはで表示されます。
| DMI | MACD | ゴールデンクロス | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 5日移動平均（位置） | 5日移動平均（向き） | 25日移動平均（位置） | |||
| 25日移動平均（向き） | パラボリック |
チャート分析
酒田五法や一目均衡表などローソク足変化シグナル(当日示現のみ)は、内にまたはで表示されます。独自のHAL指数で高値圏、安値圏を判定し、実戦的なシグナルです。
| 十字足 | はらみ十字 | 上ひげ・下ひげ |
|---|---|---|
| 出会い線 | 三点童子 | 三点童子（安値・高値） |
| 包み足 | 赤三兵・黒三兵 | 並び赤・並び黒 |
| 明けの明星・宵の明星 | 三役好転・三役逆転 | 雲上抜け・下抜け |
| 転換線上抜け・下抜け | 遅行線上抜け・下抜け | 五陽連・五陰連 |
8035 東京エレクトロンの投資戦略
8035 東京エレクトロンの株価は、オシレーター系指標では中立圏で推移しています。トレンド系指標は上昇トレンド継続中で、押し目買いゾーンです。オシレータ系指標は「買われ過ぎ」、「売られ過ぎ」を示すテクニカル指標の総称です。一定の範囲で動くため振り子系指標とも呼ばれます。RSIやストキャスティクスが代表的です。トレンドフォロー系指標は、株価が上がり続けると指標も上がり、下がり続けると指標も下がるタイプです。移動平均やMACDが代表的です。
8035 東京エレクトロンのテクニカル売買シグナル
株式売買シグナルが点灯しています。このページ下部のオシレーター分析、トレンド分析、チャート分析でご確認ください。オシレーター分析、チャート分析では変化点をキャッチした日に売り買いサインが点灯、トレンド分析では現在の方向を矢印で示します。
8035 東京エレクトロンの関連ニュース
DRAMは中国企業の大型投資と歩留まり向上により、供給圧力が高まっている。当該企業の価格攻勢は業界の投資意欲にマイナスだ。フラッシュメモリは、需要が盛り上がらず、メモリメーカーは本格的な投資再開に至っていない。ロジックファウンドリはTSMC以外は投資削減だ。
米国政府の対中半導体輸出規制強化によって、日本の半導体製造装置メーカーの中国向け売上は今後、減速の見込みだ。CoWoS及びHBM用の装置の特需があり、中国の国産化のモチベーションがそれほど高くない後工程装置に比べ、前工程装置の需要減速のリスクは高い。
（8035）東京エレクトロン：3万5500円から3万1200円へ
（6525）KOKUSAI ELECTRIC：3900円から3400円へ
（7735）SCREENホールディングス：1万3700円から1万2200円へ
（6728）アルバック：1万2100円から1万700円へ
（6920）レーザーテック：2万8000円から2万4000円へ
東京エレクトロンが2025年3月期の業績予想を上方修正した。売上高を前期比31.1%増の2兆4,000億円（従来予想比4.3%増）、営業利益を49.1%増の6,800億円（同8.5%増）とした。これは8月時点の予想からそれぞれ1,000億円、530億円の上方修正となる。
半導体製造装置市場は、AIサーバーや AI搭載型PC・スマホ向けの需要が旺盛で、2024年の市場規模は当初予想を上回る1,000億ドル強になると見込まれている。2025年も二桁成長が期待されており、市場拡大を背景に業績を伸ばす見通しだ。
特に、先端ロジックやHBM(High Bandwidth Memory)用途のDRAM、先端パッケージング向けの需要が増加しており、同社の新製品比率も上昇している。通期では売上高、利益ともに過去最高を更新する見込みだ。
東京エレクトロンは今後の成長に向けて積極的な投資も継続する。2025年3月期の研究開発費は前期比25.2%増の2,540億円、設備投資額は39.6%増の1,700億円を計画している。AI関連需要の拡大や、PCやスマートフォン市場の回復傾向を背景に、設備投資が活発化している。
また、株主還元策として最大700億円、350万株を上限とする自社株買いの実施を決定した。取得期間は2024年11月13日から2025年1月31日まで。
最新の顧客の設備投資動向と業績動向に鑑み修正するとしている。
25年3月期2Qの半導体製造装置市場では、生成AI用途のメモリやアドバンストパッケージ向け設備投資が顕著に伸長。中国での成熟世代向け設備投資も継続した。また、先端世代向けロジック/ファウンドリの設備投資も前年を上回ったとしている。
また、発行済み株式総数0.8％(350万株)の自社株買いを発表した。取得価額は700億円、取得期間は24年11月13日～25年1月31日
東京エレクトロンの株価は2.82％安の22605円で推移している。PERは19.81倍、配当利回りは2.52％。
ところがロイターが、「日本、オランダ、韓国など同盟国からの出荷は除外され、ＡＳＭＬや東京エレクトロンは引き続き出荷が可能」と報じたため、状況は一変し、大幅高となった。新規則の発表は8月とも報じられ、イスラエル、台湾、シンガポール、マレーシアなどは新規則の対象となるという。
キャンベル米国務副長官は、中国の行動に対抗していくために米国はさらなる取り組みが必要だと強調しており、対立の構図は根深い。
特に、DRAMを複数積層するHBM（広帯域メモリー）の製造工程で不可欠なウエハーボンディング装置は、前工程で培った技術を応用することで、HBMの需要増に対応する高い生産能力を実現している。次世代HBMでも同様の技術が活用される見込みで、さらなるシェア拡大が期待される。
また、ウエハーエッジトリミング装置は、レーザーを用いてウエハー端面を加工し、歩留まり向上に貢献する。すでに顧客評価が始まっており、量産準備も進んでいる。さらに、2024年にはボンディング後の工程に対応する装置も投入予定で、後工程における包括的なソリューション提供を目指す。
東京エレクトロンは、先端半導体の新たな構造や製造方法に対応する後工程市場を重視しており、全社を挙げて技術開発に取り組んでいる。顧客との連携を強化し、アドバンスドパッケージング分野でのさらなる深耕を進めることで、同社の成長戦略を加速させる考えだ。
東京エレクトロンが開発した新技術は、従来の平面実装に対して垂直方向に積層することで、スペース効率を高める3D実装を可能にするものだ。具体的には、2枚のシリコンウエハーを接合した後、上部のウエハーと集積回路をレーザーを用いて精密に剥離する技術を用いている。この技術により、ウエハーの損傷を最小限に抑えながら、高精度での剥離が実現する。
この技術の確立により、半導体業界はさらなる高性能化と小型化を追求することが可能となる。特に、5G通信や人工知能（AI）、自動運転車、データセンターなどの先進技術分野において、その恩恵は大きいとされる。垂直方向への集積により、回路密度が飛躍的に向上し、性能の向上と同時に製造コストの削減も見込まれる。
東京エレクトロンは、この新技術を用いた製品の商業化に向けて、既に国内外の主要半導体メーカーと共同開発を進めている。今後数年間で、この技術を搭載した半導体製品が市場に投入されることが予想され、業界全体に革新をもたらすだろう。
現在の技術ではマイクロバンプを使用して DRAM モジュールを接続しているが、シリコン貫通ビア (TSV) を使用してチップを垂直に積み重ねることができるハイブリッドボンディングは、マイクロバンプの必要性を排除することができ、チップ厚さを大幅に削減することができる。
また、サムスンは 垂直チャネルトランジスタ（VCT）スタイル DRAM の開発にも取り組んでおり、ハイブリッドボンディングを製造プロセスに組み込むことを計画している。3次元積層がDRAMに及ぶとなると、東京エレクトロンとラムリサーチの高性能ボンディング装置が必ず必要になってくる。
株価は三角保ち合いを継続中だが、上放れポイントを見ておきたい。
サムスン電子は、236層３ＤＮＡＮＤフラッシュメモリを開発してるのに、ＨＢＭではまだ次世代でも12層止まり。一般的なＤＲＡＭとなるとまだ先の話のようだ。（8035）東京エレクトロンは、新しい絶縁膜エッチング方式を発見しているが、まだ需要がないのかも知れない。この技術は３ＤＮＡＮＤフラッシュメモリには有効で、積層化は進むはず。
アプライドマテリアルズの2024年2～4月期決算は売上高が市場予想を上回り、5～7月期の収益見通しも市場予想以上だったが、材料出尽くし売りとなっていた。22日のエヌビディア決算で流れが変わる可能性がある。
TrendForceの最新のメモリ価格予測によると、2024年第2四半期のDRAM契約価格は前四半期比13～18％の上昇、NAND契約価格は同15～20％の上昇と予測されるという。台湾花蓮地方の地震の後、OEMメーカーが値上げを受け入れ、上昇率は予想を上回っている。
2025年3月期は26.1％増の5840億円、年間配当393円→481円を計画する。
東京エレクトロンが発表した3次元NAND向けエッチング技術がなければ、実現不可能と見られる。3次元NAND向けエッチング装置は、米ラムリサーチの独占と言われており、東京エレクトロンが3000億円の売上を総取りすると、期待されている。
キオクシアと米ウエスタンデジタルは、四日市工場や岩手県の北上工場で最先端メモリーを量産する。総投資額がおよそ4500億円で、経産省が最大1500億円を補助し、2025年9月の初出荷を目指している。両社の総投資額は7290億円に上り、経産省の支援は最大で2430億円となる見込みだ。
3次元NAND型フラッシュメモリー向けのエッチング装置市場ではラムのシェアが100％となっている。この工程は付加価値が高い上に必要な装置台数が多い。
3次元NAND型フラッシュメモリーは現在200層の製品が量産されているが、東京エレクトロンは400層以上に相当する穴を従来技術の2.5倍の速さで掘れる「チャネルホールエッチング」という技術を開発している。400層レベルでの採用は2～3年後を想定しているが、ラム・リサーチの製品に置き換われば、3000億円規模の増収効果になる可能性があると見られている。
東京エレクトロンのエッチング装置の売上高は5800億円で、3000億円増収のインパクトは大きい。
投資額増加の背景には、個人消費の回復によるデジタル製品需要の増加と、人工知能（AI）向け半導体需要の拡大がある。近年、半導体製造装置市場では、従来よりも多くのチップを製造できる大口径ウエハーに対応した装置への投資が拡大している。
SEMIは、今後も半導体製造装置への投資は増加していくと予測している。2026年には1240億ドル、2027年には1330億ドルに達すると見込んでいる。
東京エレクトロンは、24～28年度で前5年間の2倍となる設備投資7000億円を計画しており、次の半導体サイクルに備える。最近の株価上昇はDRAM向けの急回復による。
日経平均株価に占める構成比率は、2022年10月の定期見直しから上限12％のウエートキャップが設定された。2023年10月には11％、2024年10月以降は10％と段階的に引き下げられる。
ファーストリテイリングは昨年11.72％まで構成比率が上昇したことがある。足元で11％付近にあるため、市場の自浄作用でこの2銘柄を売ることで、日経平均を押し下げるリスクはある。１銘柄の寄与度が大きすぎるという問題を是正させるための措置で、基準日まではまだ時間があり、すぐさま上値抑制の要因になるとはみられていない。
特にＨＢＭは生産が難しく高価なため、データセンター用ＧＰＵ向け需要の急増とともに、前工程ボンディング装置への強い需要が発生している。チップと基盤をつなぐボンディング装置で、東京エレクトロンは世界3位となっている。
2024年3月期通期業績予想は、売上高1兆7000億円、営業利益3930億円と前期比で減収減益となる見込み。2024年後半から2026年頃にかけて、アメリカのＣＨＩＰＳ法補助金による半導体工場着工増加に伴い、半導体製造装置需要が拡大すると予想している。
東京エレクトロンは、生成ＡＩ向け装置の需要増加により、今後数年間で業績拡大を加速させる可能性が高い。
ＡＭＴは、サムスン電子や台湾ＴＳＭＣ、インテルを含む全ての主要半導体メーカーに製造装置を供給している。2－4（第2四半期）の売上高は約65億ドル（約9700億円）との見通しを明らかにしており、アナリスト予想平均の63億2000万ドルを上回る。
半導体業界の回復が予想以上に速いペースで進んでいることを示唆しており、関連株は全面高となった。
ＡＭＴと東京エレクトロンは2015年に統合交渉（後に破談）するほど、事業の親和性が高く、株価連動性が大きいことでも知られている。
東京エレクトロンは、通期予想売上高を1兆7300億円から1兆8300億円（前期比17.2％減）、純利益も3070億円から3400億円（同27.9％減）にそれぞれ上方修正。期末配当も340円から367円に引き上げている。
3D-NANDフラッシュ大手各社が「第8世代」と呼称している世代が、最大236層に相当することを思えば、東京エレクトロンはかなり先を走っていることになる。量産される3D-NAND最先端品は200層程度で、東京エレクトロン新技術は400層以上に相当する穴を従来技術の2.5倍の速さで掘ることができるという。
この装置は米ラムリサーチがほとんどのシェアを持つが、2～3年ごと見られる3D-NANDの大型投資の時期には東京エレクトロンがシェアを奪う可能性が出ている。3D-NANDエッチング装置は金額が大きく、市場規模が27年に20億ドル（3000億円弱）と23年の5億ドルから急拡大するとみられる。
現在の東京エレクトロンのエッチング全体の装置の売上高は5800億円で、3D-NANDのチャネル工程向けエッチング装置の売上が加わると、業績や株価に対するインパクトは非常に大きい。
2024年3月期売上を1兆7300億円から1兆8300億円（＋5.8％）、営業利益を4010億円から4450億円（＋11％）、純利益を3070億円から3400億円（＋10.7％）へ上方修正した。減益幅が縮小する。配当性向50％を目処としており、期末配当は192円から219円に増配し、年間配当は367円となる。市場コンセンサスは上回っており、減益ながらポジティブな印象。アナリストの目標株価引き上げが相次いでいる。
調整局面を迎えていた半導体製造装置向け設備投資は、底打ちの兆候が見られる。メモリ及び先端ロジック／ファウンドリ向け半導体に対する設備投資は、全体的に抑制傾向にあるが、生成AI用の先端半導体パッケージ向け設備の引き合いが増加している。
[野村証券]
8035 東京エレクトロン
継続 buy → buy
目標株価 29000円 → 35000円
[モルガンMUFG]
8035 東京エレクトロン
継続 Overweight → Overweight
目標株価 29500円 → 32300円
[ゴールドマン]
8035 東京エレクトロン
継続 買い → 買い
目標株価 30000円 → 35000円