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記憶素子の磁化を利用 次世代不揮発メモリー。東芝は、2011年7月、韓国ハイニックスとＭＲＡＭ（磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリ）技術の共同開発で合意。
ＰＳＭＣは東北大学発で半導体技術を研究するパワースピンと提携し、記憶用半導体の磁気記録式メモリー（ＭＲＡＭ）の量産を目指す。ＭＲＡＭは高速で読み書きでき、消費電力を既存のメモリーの100分の1に抑えられるが製造コストが高い。ＭＲＡＭの量産は第2期の生産ラインを使い29年に始める予定。台湾の半導体受託生産大手の力晶積成電子製造（ＰＳＭＣ）は、ＳＢＩ ＨＤと半導体工場を宮城県に建設することで合意している。
ルネサスエレクトロニクスは、マイコンに搭載する不揮発メモリ向けとしてSTT-MRAM（MRAM）の高速読み出し可能な技術と、書き換え動作の高速化を実現する技術を開発した。ルネサス エレクトロニクスが、フラッシュメモリーに代えてMRAM（磁気抵抗メモリー）を混載したマイコンを近く製品化する見通し。
