GaN（窒化ガリウム）チップをドライブ回路とともに内蔵した「小型GaNモジュール」を開発した。今秋よりサンプル出荷を開始し、パワーモジュールを電源関連や産業機器へ展開する。GaN（窒化ガリウム）はSiC（炭化ケイ素）と並び、現在主流のSi（シリコン）に代わる次世代半導体材料として注目されている。スイッチング性能に優れ、スイッチング周波数の高速性や電力損失を大幅に低減することが最大の特徴で、Si（シリコン）より低コストとなる。将来的には車載分野での採用も視野に、電子デバイス事業の新たな柱として成長させる。