東京エレクトロンは、積層化が進む3D-NANDにおいて、400層を超える積層構造にメモリチャネルホールを形成する、新しいエッチング技術を開発した。これまで絶縁膜エッチングでは実用化されていなかった極低温領域において、絶縁膜のエッチング速度を格段に上げる新たなプロセスで、クライオエッチングと呼ばれる。

3D-NANDフラッシュ大手各社が「第8世代」と呼称している世代が、最大236層に相当することを思えば、東京エレクトロンはかなり先を走っていることになる。量産される3D-NAND最先端品は200層程度で、東京エレクトロン新技術は400層以上に相当する穴を従来技術の2.5倍の速さで掘ることができるという。

この装置は米ラムリサーチがほとんどのシェアを持つが、2～3年ごと見られる3D-NANDの大型投資の時期には東京エレクトロンがシェアを奪う可能性が出ている。3D-NANDエッチング装置は金額が大きく、市場規模が27年に20億ドル（3000億円弱）と23年の5億ドルから急拡大するとみられる。

現在の東京エレクトロンのエッチング全体の装置の売上高は5800億円で、3D-NANDのチャネル工程向けエッチング装置の売上が加わると、業績や株価に対するインパクトは非常に大きい。