（285A）キオクシアは、2029年度までに国内2工場のメモリー生産能力を記憶容量ベースで2024年度比2倍に引き上げる方針を発表した。三重県四日市工場と岩手県北上工場のライン増設を通じ、AI用データセンター向けのNAND型フラッシュメモリーの増産を推進する。政府の補助金を活用した4500億円規模の投資計画で、最先端3D NANDフラッシュ（第8・9世代）を中心に生産体制を強化する。2025年9月には両工場での生産能力強化が完了し、災害リスク分散や安定供給体制の確立も目指す。

さらに、2026年後半にはNANDより高速かつ大容量のストレージ・クラス・メモリー（SCM）搭載製品の生産を開始する計画だ。SCMはDRAMに近い読み書き速度とNANDを超える記憶容量を兼ね備え、AI半導体との組み合わせでAI処理性能の向上が期待される。キオクシアはAI半導体メーカーによる評価を経て、SCMの量産体制へ移行する見通しだ。

キオクシアは、米ウェスタンデジタルとの提携継続も視野に入れつつ、自社主導による技術革新と供給拡大を加速させる構えだ。市場では、次世代メモリーがAIインフラの鍵を握る技術として注目されており、量産開始後の動向が焦点となる。