ＫＯＫＵＳＡＩ　ＥＬＥＣＴＲＩＣの主力事業は、ウェーハの電子回路形成における回路素材となるポリシリコン膜や絶縁膜等の薄膜を形成するバッチ成膜装置だ。均一に成膜することを可能にするにALD技術と、一度に複数枚のウェーハへの成膜を可能とするバッチ成膜技術を組み合わせたバッチALD技術は、高く評価されている。

従来から、特にNANDでは優位性が高く、24/3期後半から25/3期前半までは中国が非常に強く、受注は3Qからかなり回復してくると見られている。4割強が中国向けで、3,000億円から3,300億円という中長期の事業目標は早ければ26年度には視野に入ってくる。


成膜装置はロジック向けを4割程度まで引き上げて、DRAMとNANDで残り3割ずつという事業イメージだ。3D NANDの分野で培ってきたバッチALD技術をDRAMやロジックにも展開していくことで、ビジネス機会は増えていく。

AI需要の拡大により、DRAMの搭載容量が切り上がり、DDRの2倍のダイサイズのHBM-DRAMが注目されている。DRAM業界が、キャパシティー増加を必要とする構造に回帰したことはプラスで、動画生成など、新たなAIサービス向けで、速いI/Oスピードがストレージに求められれば、HDDではなく、NANDの拡大につ ながる可能性がある。

この場合、NAND向け前工程も増加することとなり、ＫＯＫＵＳＡＩ　ＥＬＥＣＴＲＩＣはラムリサーチと並んで、メリットを大きく享受する可能性が出ている。