6525 ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ
| 2025年1月20日 株価 | |||
|---|---|---|---|
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始値
2,260円
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高値
2,294円
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安値
2,225円
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終値
2,233円
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出来高
2,444,200株
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| オシレータ分析 | トレンド分析 | 予想レンジ | |
|---|---|---|---|
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予想高値
2,600円
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予想安値
1,800円
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オシレータ分析
オシレータ系指標は、相場の強弱動向を表した指標で、日々の市場の値動きから、株価の水準とは無関係に売り・買いを探ります。
売買シグナルは 内にまたはで表示されます。
| RSI | 9日 54.35 | RCI |
9日 -75 13日 38.46 |
|---|---|---|---|
| ボリンジャーバンド |
+2σ 2812.45 -2σ 1860.74 |
ストキャススロー |
S%D 52.06 %D 49.23 |
| ストキャスファースト |
%K 23.69 %D 49.23 |
ボリュームレシオ | 14日 62.82 |
| 移動平均乖離率 | 25日 1.25 | サイコロジカル | 12日 58.33 |
トレンド分析
トレンド系指標は、相場の方向性・強さを判断する指標で、中長期の分析・予測に使われます。トレンド転換時は内にまたはで表示されます。現在のトレンドはまたはで表示されます。
| DMI | MACD | ゴールデンクロス | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 5日移動平均（位置） | 5日移動平均（向き） | 25日移動平均（位置） | |||
| 25日移動平均（向き） | パラボリック |
チャート分析
酒田五法や一目均衡表などローソク足変化シグナル(当日示現のみ)は、内にまたはで表示されます。独自のHAL指数で高値圏、安値圏を判定し、実戦的なシグナルです。
| 十字足 | はらみ十字 | 上ひげ・下ひげ |
|---|---|---|
| 出会い線 | 三点童子 | 三点童子（安値・高値） |
| 包み足 | 赤三兵・黒三兵 | 並び赤・並び黒 |
| 明けの明星・宵の明星 | 三役好転・三役逆転 | 雲上抜け・下抜け |
| 転換線上抜け・下抜け | 遅行線上抜け・下抜け | 五陽連・五陰連 |
6525 ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣの投資戦略
6525 ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣの株価は、オシレーター系指標では中立圏で推移しています。トレンド系指標は上昇トレンド継続中で、押し目買いゾーンです。オシレータ系指標は「買われ過ぎ」、「売られ過ぎ」を示すテクニカル指標の総称です。一定の範囲で動くため振り子系指標とも呼ばれます。RSIやストキャスティクスが代表的です。トレンドフォロー系指標は、株価が上がり続けると指標も上がり、下がり続けると指標も下がるタイプです。移動平均やMACDが代表的です。
6525 ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣの関連ニュース
DRAMは中国企業の大型投資と歩留まり向上により、供給圧力が高まっている。当該企業の価格攻勢は業界の投資意欲にマイナスだ。フラッシュメモリは、需要が盛り上がらず、メモリメーカーは本格的な投資再開に至っていない。ロジックファウンドリはTSMC以外は投資削減だ。
米国政府の対中半導体輸出規制強化によって、日本の半導体製造装置メーカーの中国向け売上は今後、減速の見込みだ。CoWoS及びHBM用の装置の特需があり、中国の国産化のモチベーションがそれほど高くない後工程装置に比べ、前工程装置の需要減速のリスクは高い。
（8035）東京エレクトロン：3万5500円から3万1200円へ
（6525）KOKUSAI ELECTRIC：3900円から3400円へ
（7735）SCREENホールディングス：1万3700円から1万2200円へ
（6728）アルバック：1万2100円から1万700円へ
（6920）レーザーテック：2万8000円から2万4000円へ
DRAM投資が活発な中国向け売上が3.3倍の343億円となり、中国向け比率は53%に達している。中国での DRAM への投資がさらに期待できる賭しており、26 年 3 月期は 25 年 3 月期と同程度の水準と予想している。第1四半期の受注高は約490億円で、中国大手のDRAMがかなり上振れしている。
DRAM は HBMが活況であることに加え、従来の DRAM 需要、特にサーバーやデータセンター向けのニーズが高まっていることにより投資が前倒しされているようだ。北米の ロジック 関連の設備投資が抑制されても、台湾ファウンドリーの案件で相殺されるとしている。KOKUSAI ELECTRICは、DRAM製造に関連する装置が多い。
DRAM、Logic/Foundry、NANDの全てのアプリケーション向けで装置販売が増加。2Qからの出荷前倒しを含めて中国向けの装置出荷とサービスビジネスに含まれるレガシー装置の出荷が集中し増収増益。
また、発行済み株式総数2.55％(600万株)の自社株買いを実施。取得額は180億円。取得期間は2024年9月20日まで。
従来から、特にNANDでは優位性が高く、24/3期後半から25/3期前半までは中国が非常に強く、受注は3Qからかなり回復してくると見られている。4割強が中国向けで、3,000億円から3,300億円という中長期の事業目標は早ければ26年度には視野に入ってくる。
成膜装置はロジック向けを4割程度まで引き上げて、DRAMとNANDで残り3割ずつという事業イメージだ。3D NANDの分野で培ってきたバッチALD技術をDRAMやロジックにも展開していくことで、ビジネス機会は増えていく。
AI需要の拡大により、DRAMの搭載容量が切り上がり、DDRの2倍のダイサイズのHBM-DRAMが注目されている。DRAM業界が、キャパシティー増加を必要とする構造に回帰したことはプラスで、動画生成など、新たなAIサービス向けで、速いI/Oスピードがストレージに求められれば、HDDではなく、NANDの拡大につ ながる可能性がある。
この場合、NAND向け前工程も増加することとなり、ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣはラムリサーチと並んで、メリットを大きく享受する可能性が出ている。