ディスコは、窒化ガリウム（GaN）を切断する新装置を開発した。ディスコの新装置はGaNの塊の上から内部にレーザーを照射する方式。窒素とガリウムに分解させて割れ目を入れて層を作り、円形のウエハーに切り離す。従来はダイヤモンドのワイヤを糸のこ状に使って切断していた。従来製法より素早く切断できるため、1時間あたりの生産枚数が6倍に増える。

浜松ホトニクスも、GaNをレーザー方式で切断する技術を開発している。ワイヤソーで削ってスライスすると、200―300マイクロメートルのGaNが失われるが、レーザー方式では3マイクロメートルが失われるに過ぎない。GaNは結晶化が難しく、表面が割れやすいため、加工に時間がかかっていた。レーザーを使うことで表面が割れにくくなった。

GaNを素材とする次世代パワー半導体の世界市場は35年に740億円と、22年の17倍に拡大する見通し。