東洋炭素は、半導体製造装置に使う炭素部材を増産する。日本での増産投資と合わせ2027年までに360億円を投じ、売上高を27年度までに22年度比でほぼ倍増の192億円に伸ばす。国内では、香川工場に約70億円を投じ、2025年までに生産能力を現在の1.5倍に引き上げる計画が進んでいる。東洋炭素は、炭化ケイ素ウエハーを載せる台座となる「サセプター」で世界でシェア5割以上をもち、単結晶シリコンのインゴットを形成する際の専用炉に使う炭素部材も増産する。

サセプターはウエハーの表面に薄膜を形成する「エピタキシャル成長」の工程で用いられ、ＥＶV向けで需要拡大が見込まれる炭化ケイ素（ＳｉＣ）ウエハーを使ったパワー半導体ではエピタキシャル成長工程が不可欠となっている。米国と中国で工場を増強するほか、欧州ではドイツに続いてイタリアで新たに生産を開始する。東洋炭素は2027年12月期までの中期経営計画で、ＳｉＣ半導体市場の年平均成長率予測を当初の20％から40％に変更していた。