キヤノンはキオクシアと「型」を半導体ウエハーに押しつけて回路パターンを形成する「ナノインプリント」技術を共同開発しているが、大日本印刷が加わり、ＥＵＶ（極端紫外線）露光の消費電力を10分の1に抑制する。これまでは15ナノメートルまでは実現可能とされていたが、5ナノメートルまで対応するようだ。産業技術総合研究所は2ナノメートル以降の前工程製造装置の開発に、キャノン、ＳＣＲＥＥＮ ＨＤ、東京エレクトロンの3社を選出したが、微細化技術開発の一つであることははっきりした。ＥＵＶによる微細化が進んでいるロジック系半導体並みの技術をＮＡＮＤ型フラッシュメモリにも応用する可能性がある。