ＳｉＣ（炭化ケイ素）を用いたパワー半導体中心に3年間で2400億円を投じる計画で、車載向けやロボット制御用途を狙う。さらに第2世代のパワー半導体とも言えるＧａＮ（窒化ガリウム）半導体では、世界的リーダーのＧａＮシステム社と協業を開始しており、ＧａＮデバイスの可能性を最大限に引き出す製品を共同開発する。コンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できるため、次世代パワーデバイスとしての期待は大きい。