（7751）キヤノンは、米国「Texas Institute for Electronics」（TIE）向けに最新ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を出荷した。この技術は、従来の光による露光ではなく、マスク自体をウエハー上に物理的に押し付けて回路パターンを形成する仕組みだ。

微細回路パターンの忠実な転写が可能となり、5ナノノード世代に対応できる最小線幅14nmの形成を低消費電力かつ低コストで実現する。27年以降のロジック半導体量産への適用が予定されており、これまでEUV露光装置で独占されてきた最先端プロセス領域に新たな技術標準を打ち出す狙いがある。

今後3〜5年で年10〜20台出荷の目標を示している。NIL技術の量産設備本格導入が、同社再成長の原動力となる見込みが強い。関連テーマとしてAI半導体や低消費電力・低コスト製造が浮上し、今後数年は市場注目度が一段と高まるだろう。