東海カーボンは、シリコンウエハーに回路を形成する際に不要な膜を取り除く装置の部品の生産能力を5割高める。部品はＳｉＣ（炭化ケイ素）製で、Ｓｉ（シリコン）製と比べて耐久力が高く、５Ｇの普及で需要が増えている。

ＳｉＣ半導体については、産業技術総合研究所が17社と連携し、ウエハーの量産技術開発で共同研究を始めた。低炭素社会実現のためにはよりエネルギー損失の少ないＳｉＣ製のパワー半導体素子が期待されているが、パワー半導体用の単結晶成長やウエハー加工に多くの時間とコストがかかる。ウエハー加工技術に関わる材料、装置メーカーを結集し、革新的なウエハー製造技術の早期確立を目指している。