三菱電機は、ＳｉＣ(炭化ケイ素)パワー半導体の生産体制強化に向けた新工場棟（熊本県）の建設をはじめ、パワーデバイス事業における2021年度から2025年度までの累計設備投資を従来計画の1,300億円から倍増させ、約2,600億円を投資する。ＳｉＣパワー半導体は、電気自動車向け需要の拡大に伴い急速な市場拡大が見込まれるとともに、低損失・高温度動作・高速スイッチング動作等が求められる様々な応用分野において更なる市場の広がりが見込まれている。

ＳｉＣウエハについて約1,000億円を投資して新工場棟の建設と設備増強を実施し、大口径化（8インチ）に対応する。また約100億円を投資してパワー半導体の後工程の新工場棟を福岡県に建設する。2026年度のウエハーの生産能力は、22年度比5倍と大幅に増える見通し。ＳｉＣの21年の世界シェアで三菱電機は6位となっており、ロームの4位を追う。25年度にはパワー半導体の売上高を、21年度比34％増の2400億円にする見込み。