ＮＴＴは、窒化アルミニウム半導体でトランジスタを動かす実験に世界で初めて成功した。窒化アルミニウム半導体はシリコンに比べて厚さを約40分の1にすることができるため、電気抵抗が減少し、電力損失が抑制できる。窒化アルミニウムは理論上、電力ロスをシリコンの5％以下、ＳｉＣの35％以下、ＧａＮの半分以下にできるという。

窒化アルミニウムは、アルミニウムの窒化物で、ボーキサイトとコークスの混合物を、窒素中で高温・高圧で反応させることで得られる。優れた熱伝導性、高電気絶縁性、各種半導体に近い熱膨張性などの特性を有していることから、熱に弱い半導体等の電子部品の放熱材料として利用されている。