6315 ＴＯＷＡ
| 2024年7月26日 株価 | |||
|---|---|---|---|
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始値
8,470円
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高値
8,610円
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安値
8,360円
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終値
8,500円
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出来高
2,248,200株
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| オシレータ分析 | トレンド分析 | 予想レンジ | |
|---|---|---|---|
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予想高値
10,000円
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予想安値
6,600円
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オシレータ分析
オシレータ系指標は、相場の強弱動向を表した指標で、日々の市場の値動きから、株価の水準とは無関係に売り・買いを探ります。
売買シグナルは 内にまたはで表示されます。
| RSI | 9日 7.47 | RCI |
9日 -95 13日 -97.8 |
|---|---|---|---|
| ボリンジャーバンド |
+2σ 14011.78 -2σ 8775.63 |
ストキャススロー |
S%D 12.14 %D 1.35 |
| ストキャスファースト |
%K 0 %D 1.35 |
ボリュームレシオ | 14日 24.93 |
| 移動平均乖離率 | 25日 -18.76 | サイコロジカル | 12日 16.67 |
トレンド分析
トレンド系指標は、相場の方向性・強さを判断する指標で、中長期の分析・予測に使われます。トレンド転換時は内にまたはで表示されます。現在のトレンドはまたはで表示されます。
| DMI | MACD | ゴールデンクロス | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 5日移動平均（位置） | 5日移動平均（向き） | 25日移動平均（位置） | |||
| 25日移動平均（向き） | パラボリック |
チャート分析
酒田五法や一目均衡表などローソク足変化シグナル(当日示現のみ)は、内にまたはで表示されます。独自のHAL指数で高値圏、安値圏を判定し、実戦的なシグナルです。
| 十字足 | はらみ十字 | 上ひげ・下ひげ |
|---|---|---|
| 出会い線 | 三点童子 | 三点童子（安値・高値） |
| 包み足 | 赤三兵・黒三兵 | 並び赤・並び黒 |
| 明けの明星・宵の明星 | 三役好転・三役逆転 | 雲上抜け・下抜け |
| 転換線上抜け・下抜け | 遅行線上抜け・下抜け | 五陽連・五陰連 |
6315 ＴＯＷＡの投資戦略
6315 ＴＯＷＡの株価は、オシレーター系指標では割安圏で推移しています。トレンド系指標は下降トレンド継続中で、様子見ゾーンです。オシレータ系指標は「買われ過ぎ」、「売られ過ぎ」を示すテクニカル指標の総称です。一定の範囲で動くため振り子系指標とも呼ばれます。RSIやストキャスティクスが代表的です。トレンドフォロー系指標は、株価が上がり続けると指標も上がり、下がり続けると指標も下がるタイプです。移動平均やMACDが代表的です。
6315 ＴＯＷＡのテクニカル売買シグナル
株式売買シグナルが点灯しています。このページ下部のオシレーター分析、トレンド分析、チャート分析でご確認ください。オシレーター分析、チャート分析では変化点をキャッチした日に売り買いサインが点灯、トレンド分析では現在の方向を矢印で示します。
6315 ＴＯＷＡの関連ニュース
コンプレッション装置は、韓国のＳＫハイニックスとサムスン電子から前期（24年３月期）だけで22台受注している。技術的に難易度の高いコンプレッション方式でライバルはいないと見られる。サムスン電子がついにエヌビディアから第5世代のHBM（高帯域幅メモリ）であるHBM3Eの品質検証テストに合格し、HBM3E量産を本格的に開始する見込みとなったことは好材料。
さらに韓国新工場の稼働についての情報が待たれる。
ボンディング装置がこれほどの需要を集めるなら、ＴＯＷＡのインプレッション装置へも波及は必至と見られる。ハンミ半導体はTCボンダーに限れば市場シェアが65％と大きいため、東京エレクトロンへの恩恵は限られるが、周辺装置への受注環境は良好と見られる。
野村證券はＴＯＷＡの保有割合が5％未満に減少したと発表している。保有割合が5.48％から4.34％に減少しており、戻り圧力の緩和にはもう少し時間がかかりそうだ。
ＴＯＷＡは韓国工場の近くで土地建物を取得し、生産能力を2倍に引き上げると発表したが、報道では10月に稼働するようだ。ＴＯＷＡのコンプレッション装置は、特許や技術的難易度の高さから、他社の参入を許していないが、現在はシンガポール工場だけで製造しており、新工場でＨＢＭ向けを製造することで、1000億円企業への脱皮が見えてくる。
株価は過熱感から下落し、トレンド系指標も陰転している。玉整理が付いた段階で攻めても遅くなさそうだ。
HBMにハイブリッドボンディングを適用するためには、レーザダイシングが必要と言われる。ステルスダイシングは、加工・洗浄に水を使用しない上、チップの表裏面へのダメージもほぼないため、高品質な加工ができる。
ＴＯＷＡは、レーザ事業との開発連携を強化し、コラボ製品の早期市場投入を目指しているが、この分野の可能性が高く、売上を12.6億円から倍増させる計画のようだ。ディスコの牙城を崩すほどとは思えないが、収益に貢献するレベル。
さらに、モールディング工程後、１つ１つの半導体に切断して個片化するシンギュレーション装置の売上も前期の12.6億円から倍増する見通し。最新機種「FMS4040」に加え、レーザ事業との開発連携を強化し、コラボ製品の早期市場投入を目指すようだ。
急騰直後だけに、調整は当然だが、まだ伸びしろが多く、ＴＯＷＡの目標である1000億円企業への脱皮は大筋見えてきた。徹底して押し目買いが良さそうだ。
3/15野村證券買付開始
0→0.09% 21,814株
3/29野村證券
0.09→0.48% 121,100株
4/15野村アセットマネジメント
4.89→5.75% 144万株
4/30野村證券
0.27→1.5% 375,408株
4/30野村アセットマネジメント
5.75→6.85% 171万株
メモリ業界の次のカタリストは、メモリの3次元化だ。3次元化は、ＭＬＣＣ（積層セラミックコンデンサ）や、ロジック半導体、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリで超高度に進んでも、もう相場には響かない。ＤＲＡＭへの実装は2030年頃と見られているが、その前にＨＢＭが始まっている。成膜装置、エッチング装置、洗浄装置の重要度は、今後数年高まる。
ＳＫハイニックスは、約20兆ウォン（約2兆2000億円）を投じ、生成ＡＩ向けの「ＨＢＭ」を増産する。最先端の「ＨＢＭ３Ｅ」や「ＨＢＭ４」を量産することになりそうだ。
ＴＯＷＡはＳＫハイニックスやサムスン電子からの受注が多く、ＨＢＭの普及で封止装置の受注が増えそうだ。需要に対応した、積極的な設備投資が、株価浮上のカギとなる。
ＴＯＷＡは、半導体チップを保護するための流動性樹脂をゲート(供給口)からその半導体チップの周囲に供給した後に硬化させる、トランスファ方式によるモールディング装置(樹脂封止装置)を販売している。加えて、予め供給された流動性樹脂に半導体チップを漬けた後にその流動性樹脂を硬化させる、コンプレッション方式によるモールディング装置を開発し販売している。
半導体製造メーカーは、リードフレームや基板サイズの大判化を進めることで、生産性を上げるとともに生産コストを低減していこうとしている。また、半導体のモールディングには、半導体製品の薄型化や高集積化、パワーデバイスやモジュール化に対応するための肉厚化への対応も求められている。モールディング装置は、これらのさまざまな要求に応える装置。
トランスファ方式やコンプレッション方式でモールディングされた製品を個片化し収納するシンギュレーション装置も展開する。製品切断する自社製ダイサーや個片化した製品を収納する装置。
ＳＫハイニックスの後工程工場建設は好材料。
SKハイニックス、サムスン電子、マイクロンが、この急成長する市場の主な受益者になると指摘する。
AIサーバーの需要とGPUあたりのメモリチップ密度向上が、HBM市場価値の著しい上昇を牽引する。ゴールドマンサックスのアナリストは、供給と需要のダイナミクスにより、HBMは今後もプレミアム価格で取引されると強調し、これは関係する企業のDRAM全体の利益率にプラスの影響を与えると指摘する。
製造能力の拡大による潜在的な供給過剰懸念があるにもかかわらず、HBMは従来のDRAMと比較してチップサイズが大きく、生産歩留まりが低いため、供給の逼迫は続くと予想される。シティのアナリストも同様の見解を示し、エヌビディアやその他のAI顧客からの需要増加により、供給制約は今後も続くと指摘する。
「ＨＢＭ（広帯域メモリ）」関連
6315 ＴＯＷＡ
6855 日本電子材料
6857 アドバンテスト
6871 日本マイクロニクス
7729 東京精密
8035 東京エレクトロン
半導体製造は前工程（回路形成）が重視されてきたが、微細化技術の限界に近づき、後工程（チップ保護加工など）の重要性が高まっている。ＴＯＷＡは、半導体チップを樹脂で封止する独自技術を持ち、この技術がＡＩ半導体製造で強みを発揮する。
ＴＯＷＡのコンプレッション方式封止装置は、ＡＩ半導体製造に欠かせないＨＢＭ（広帯域メモリー）の積層チップを、高精度かつ歩留まり向上を実現する。24年3月期に韓国半導体メーカーから15～20台の受注予定があり、27年3月期から本格的な事業化を見込む。
ＴＯＷＡは、ＨＢＭだけでなく、ＧＰＵなどの複数のＡＩ半導体を一括で封止する「レジンフロー成形」装置も開発した。詳細は非公開だが、従来の装置よりも効率的な自動封止が可能となる。
現在の生産体制では売上高750億円程度まで対応可能だが、長期目標である1000億円達成には設備投資が必要となる。岡田社長は、来期から国内外での新工場や開発拠点の整備、Ｍ＆Ａなどを検討していくと語った。
さらに3月には、36GBの12-High HBM3Eをサンプル出荷する予定としている。マイクロンは生成AIに使うメモリーの性能を高め、業績立て直しの起爆剤に据えており、広島工場でも生産する計画となっている。
DRAMチップを積層し、高速・大容量のデータ処理を可能にするHBM（広帯域メモリー）は、メモリー不況から抜け出す救世主として期待が高まっている。
チップ積層技術が問われるために後工程の重要性も高まる。NAND型フラッシュメモリーの積層技術は回路形成工程の「前工程」だが、HBMはDRAMチップを組み立て工程の「後工程」で積層して複数の半導体チップを電子回路でつなぐ仕組みになる。
積層されたチップの間は、10ミクロン（ミクロンは1000分の1ミリメートル）で、ＴＯＷＡのコンプレッション（圧縮）方式封止装置は、真空状態で行うことで気泡を発生させない。そのため、歩留まり向上につながることになる。現在は、韓国のSKハイニックスや、サムスン電子が発注していると見られる。
次の段階として、画像処理半導体（GPU）など複数の半導体を並べて接続する構造のAI半導体そのものを自動封止する「レジンフロー成形」装置も開発している。27年3月期ごろから本格化すると見られ、設備投資を本格化する。
ＴＯＷＡは、長年の技術改良により、半導体封止装置で世界シェア6割を獲得してきた。今回開発した「レジンフロー成形」は、1回のプレスで8センチメートル角のチップレット半導体であれば6枚を同時に封止できるほか、半導体の厚みのばらつきにも対応できる。半導体を傷や衝撃から守るために樹脂で覆う封止の新技術となっている。
「レジンフロー成形」は、AI半導体製造の効率化に大きく貢献する。チップレットの技術を多く使ったAI半導体を仕上げる技術だ。将来的には、AI半導体市場全体の20％のシェア獲得を目指す。
次世代DRAMのHBM（広帯域メモリー）でもコンプレッション成形が必須となっている。HBMの歩留まりを圧倒的に改善させ、ユーザーの支持を得ている。HBM向けの封止装置は納入を始めたばかりで、収益拡大の期待がかかる。
ＴＯＷＡは、半導体チップを保護するために、封止材を注入してチップを覆う半導体封止装置で、機能が異なる半導体をブロックのように組み合わせる「チップレット」技術に対応し、1つにまとめる封止装置を開発した。チップレット専用の封止装置を、台湾ＴＳＭＣに出荷すると報じられていることもあり、関連銘柄として意識されている。
ＴＯＷＡは、半導体用樹脂封止装置の分野では、世界トップシェアで、封止材の厚みを均一にすることができ、高精度な封止を実現している。チップレット専用の封止装置は珍しく、台湾ＴＳＭＣに出荷すると報じられている。