富士電機は、2024～26年度の3年間で半導体分野に2000億円規模を投資する。電気自動車（EV）の電力制御などに使うパワー半導体に重点を置き、国内工場に炭化ケイ素（SiC）製パワー半導体の生産ラインを新設し、能力を増強する。

EVの普及により、パワー半導体の需要は急拡大している。EVには、走行や充電にパワー半導体が必要不可欠であり、今後も需要が拡大すると見込まれている。また、データセンターの需要拡大も、パワー半導体の需要を押し上げている。データセンターでは、サーバーやストレージなどの機器にパワー半導体が必要であり、今後も需要が拡大すると見込まれている。

さらに、SiC製パワー半導体の普及により、パワー半導体市場の競争が激化している。SiC製パワー半導体は、Si製に比べて耐熱性や耐電圧性が高く、EVやデータセンターなどの高性能化に貢献する。